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31.碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

32二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

33.三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

36.二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

37.二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺；PCl3是有机物的良好氯化剂；也用于含磷有机物的合成。

39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。

40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散；作硼载气及一些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。

41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

42.四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。

43.四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。

44.四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。

45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

46.五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

47.六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。

48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。

49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。

50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。

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