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21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积。

22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序；磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。

23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序。

24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序；用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。

25.锗烷-GeH4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

26.锑烷-SbH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。

29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。

30.硒化氢-H2Se,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

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